努力10年，运田金属打破低含量锗回收核心技术

                                                                                                                                                     努力10年，运田金属打破低含量锗回收核心技术

韶关市运田金属材料有限公司为了满足国内环保及市场的需求，我们在低含量锗回收技术方面一直不断做研究，经过10年努力，2020年取得重大突破。并且将向晶片的大直径方向攻坚，将锗晶片、砷化镓晶片和磷化晶片向更大尺寸发展，将继续向超薄晶片、提高晶片合格率等方向攻关，不断降低成本、提高产业化程度，打造中国光电半导体材料的航集群。

虽然这些晶片有着优良的物理特性，但之前长一段时间我们都依赖进口且晶片的制备技术被国外垄断，要改变这种局面就必须突破位错控制技术。”韶关运田研究所首席科学家张昆介绍，半导体单晶在生产过程中，由于外界温的波动和液面对流的影响，造成晶体中的原子排列不能达到理想状态，造成位错增生、晶体变晶，使产品失效。在与中科院建立合作关系的基础上，云南锗业通过不断研究，从设备的自主研发开始，先后攻克半导体单晶生产过程中温度控制、界面的平整度及稳定性等个个关键技术，研发出的太阳能锗晶片、砷化镓晶片、磷化铟晶片等产品达到同类产品世界先进、国内领先水平，产品还出口德国、韩国等国家富宝资讯。

上述产品在掌握核心关键技术、自主可的基础上实现了国产化。据此前公开报道，目前部分产品已经批量应用于国防工程和配套国内知名芯片生产企业。