镓是一种重要的半导体基础材料。 随着其系列化合物 GaAs、GaP、GaN、GaAlAs 在当代光电子、微电子、高速集成电路等领域的广泛应用，高纯镓的地位日益凸显。 其不仅可制备发光二极管(LED)、光探测器，还能制备半导体激光器、超高速微电子器件等产品，还被广泛应用于光纤通讯、移动通讯、空间技术、计算机、太阳能电池、军工等行业。 高纯镓的市场需求日益增长，每年仅日本的消耗量就高达 120 吨，高纯镓也是我国重点发展的高新技术材料。
高纯镓的提纯技术有:化学处理、真空蒸馏、电解精炼、结晶、区域熔炼等方法，目前主要采用电解法进行精炼生产。 任何单一的方法都不能完全满足金属镓提纯的要求，实际生产中多采用几种方法的组合。 本文采用真空挥发熔炼-电解精炼联合法的工艺制备高纯金属镓。 通过分析其熔炼过程的蒸汽压、电解过程的电极材料、电解液浓度、温度、电流密度及槽电压等因素对制备过程的影响， 进一步完善了工艺流程，提高了产品质量。4N(99.99 %)工业粗镓只需一次电解，产品就完全能够达到5N 高纯镓的要求，其中75 %以上的产品达到6N 质量标准。
工业实践表明:当真空挥发熔炼的蒸汽压控制在 1.3×10-3 Pa以下，温度在700℃左右，挥发熔炼时间为10-12 h情况下，Pb、Zn、Cd 等低沸点杂质可以得到较好的去除。电解精炼时控制电解液组分 Ga 浓度50-100g/ L、NaOH 浓度100-180 g/ L，电解液温度在40-45℃，电流密度为150-250 A/m2，槽电压 1-2 V/ 槽。一次电解可得到5N高纯镓，其中有75﹪以上的产品可达到6N标准。
铂电极密封后，电解 Ga 成为实际上的工作电极。提高了氢的超电压，从而阻止了H2在阴极的析出，避免了因电解析出 H 2 造成阴、阳极生成铂黑的问题，同时减少了NaOH、水分挥发，电流效率提高 4~5 %，回收率提高了20-30 %，可达 98 %以上。生产中经常进行亮光操作，降低槽电压，可节约大量的生产成本。